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空天论坛-Investigation of silicon carbide power MOSFET—— characterization & issues in application
发布于:2018-06-04 10:03:09   |   作者:[学院] 航空航天学院   |   浏览次数:1286

演讲者:吴昊

时间:2018年6月7日,14: 00~16: 00

地点:202大楼研究所

说明:

作为电源逆变器/转换器的心脏组件, 诸如MOSFET之类的半导体器件在现代技术中发挥了重要作用 电力应用。已经有硅(Si)半导体器件的技术 开发了大约50年,并接近其材料理论 阻断电压,工作温度等方面的术语 导通和开关特性。碳化硅(SiC)电源 半导体器件的特征在于更高的块 电压,工作温度更高,开关特性更快,更低 开关损耗和更高的功率密度,结果,它已成为一个可替代传统Si功率半导体器件。这个 报告研究了最近研究人员对SiC功率的表征 MOSFET及其应用中存在的主要问题。

演讲嘉宾简介:吴昊航空航天系,2015年获博士学位主要研究方向包括:宽带隙半导体功率器件的建模和应用,电机的高频建模和电机驱动系统的关键技术。